Oblea de Ge (100) con plano mayor <110> 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) R:0.1-0.5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/- (0.21-0.25) Deg.
  Major Flat: <110> +/- (0.11-0.19) Deg.
  
• Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 500 micras
• Pulido superficial: Pulido epi por una cara
• Rugosidad superficial: < 5 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado de Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0.1-0.5 Ohms.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• EPD: <500 /cm^2
• Embalaje: sala blanca de clase inferior a 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640