Ge Wafer (110) 4" dia x 0.5 mm,2SP, tipo N ( Sb dopado) R:0.1-0.5ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (110) +/-0.5 Deg.
  Mayor Plana: <111>
  
• Tamaño de la oblea: 4" dia x 500 micras
• Pulido de superficie: pulido epi en dos lados
• Rugosidad superficial: < 30 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado de Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0.1-0.5Ohms.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• EPD: <100 /cm^2
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640