Ge Wafer (110) dopado con Ga, 2" dia x 0,5 mm, 1SP Resistividad : 0,1-1,1 ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (110) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Pulido superficial: pulido óptico por un lado
• Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
• Dopado: Dopado de Ga
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,1-1,1 Ohmios/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937.4 ^oC
• Conductividad térmica 640