Oblea de Ge (110) tipo N sin dopar, 4" diá. x 0,5 mm, 1SP,R:>50 ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (110) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 4" dia x 500 micras
• Pulido superficial: pulido epi por un lado
• Rugosidad superficial: < 30 A ( por AFM)
• Dopado: No dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: >50 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
  Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas del cristal de Ge

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640