Ge Wafer (110)N type, Sb doped, 2" dia x 0.5 mm, 2SP Resistividad: 0.1-0.5ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (110) +/_0.5 Deg
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Acabado superficial (RMS o Ra) : Pulido óptico de dos caras < 30A
  
• Dopado: Sb dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0,1-0,5ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: en sala blanca de clase 1000
  

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640