Ge Wafer (111) 2" dia x 0.4 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) Resistividades: 0,035-0,039ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2 "de diámetro x 400 micras
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos caras
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,035-0,039 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937.4 ^oC
• Conductividad térmica 640