Ge Wafer (111) 2" dia x 0..5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), R: 0.05-0.5 ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2 "de diámetro x 500 micras
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos caras
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado de Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0.05-0.5 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• EPD:
• Embalaje: sala blanca de clase inferior a 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937.4 ^oC
• Conductividad térmica 640