Ge Wafer (111) 4" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N ( Sb- dopado) con resistividades: 0,014-0,022 Ohmios-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 4" dia x 500 micras
• Pulido superficial: Pulido epi por una cara
• Rugosidad superficial: < 30 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado de Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0,014-0,022 Ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640