Ge Wafer (111) con 9,45 grados de desviación, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 0,1-0,5ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) con desviación de 9,45 grados hacia <11-2>
  Flat: <110>
  
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Pulido superficial: pulido epi por un lado
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Sb dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0.1-0.5 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• EPD:
• Embalaje: sala blanca de clase inferior a 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640