Ge Wafer - Tipo N No dopado, 2" dia x 0.5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

Especificación de obleas de Ge

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Acabado superficial(RMS o Ra): pulido epi por un lado < 8 A ( por AFM)
• Dopado: No dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: >50 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754 Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640