Oblea de Ge(100). 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado) R: 0.004-0.01ohm.cm - GEGaa100D05C2BeR0004US

Especificación de obleas de Ge

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/- (0.10-0.16) Deg.
• Plano primario: <110> +/- (0.17-0.20) Deg.
• Tamaño de la oblea: 100 mm (+/-0,05 mm) de diámetro x 500 (+/-25 micras)
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos caras
• Rugosidad superficial: < 5 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado Ga
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: R: 0.004-0.01 ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• EPD: 0
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640