Oblea de Ge(100) . 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) R:1.4-1.7 ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/- 0.09 Deg.
• Plano primario: <110> +/- 0.09 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100mm(+/-0.05mm) dia x 500 (+/-25 micras )
• Pulido superficial: Pulido epi en dos caras
• Rugosidad superficial: < 5 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado Ga
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: R:1.4-1.7 ohm.c (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640