Ge(111) Wafer N-type Undoped, 2" dia x 0.5 mm, 2SP R >50 Ohm.cm - GEUc50D05C2R50US

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 0.5 mm
• Acabado superficial(RMS o Ra): Pulido epi de doble cara < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Sin dopar
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad >50 Ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640