Deposición química en fase vapor mejorada por plasma a alto vacío (tipo CCP) - VTC-PECVD
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Deposición química en fase vapor mejorada por plasma a alto vacío (tipo CCP) - VTC-PECVD
MTI
VTC-PECVD es un sistema de deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) de tipo CCP (plasma acoplado capacitivamente) con una cámara de alto vacío. Está diseñado para el recubrimiento de películas finas asistido por plasma a baja temperatura (200 ~ 500°C), en comparación con la deposición normal a 700~950°C. La cámara de alto vacío también proporciona un entorno limpio que mejora en gran medida el tamaño de la película, la uniformidad y la calidad de la película.
ESPECIFICACIONES
| Alimentación |
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| Fuente de alimentación |
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| Crecimiento PECVD |
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| Bomba de vacío |
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Enfriador de agua![]() |
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| Sistema de suministro de gas (opcional) | |
| Peso neto de la recubridora |
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| Dimensiones | |
| Conformidad |
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| Garantía |
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| Vídeo de demostración del funcionamiento | |













