MTI  |  SKU: IPScA50D05C1US

InP - (VGF-Grown), (111)A, S dopado, 2" x 0.5mm wafer, 1sp - IPScA50D05C1US

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InP - (VGF-Grown), (111)A, S dopado, 2" x 0.5mm wafer, 1sp - IPScA50D05C1US

MTI

  • Oblea monocristalina de InP
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (111)A
  • Tamaño: 2" de diámetro x 0,5 mm
  • Dopado: Dopado S
  • Tipo de conductor: S-C-N
  • Pulido: una cara pulida
  • Resistividad: (0,87-1,19)x10^-3 ohm.cm
  • Movilidad: 1400-1670 cmE2/V.S
  • EPD: N/A
  • Concentración portadora: (3,15-5,15) x10^18 /cm^3
  • Rugosidad superficial: <4 nm
  • Superficie y empaquetadura preparadas para EPI
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