MTI  |  SKU: IPZncA50D035C1US

InP-(VGF- Grown) (111)A Zn- dopado, tipo P, 2 "x 0.35mm wafer, 1sp - IPZncA50D035C1US

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InP-(VGF- Grown) (111)A Zn- dopado, tipo P, 2 "x 0.35mm wafer, 1sp - IPZncA50D035C1US

MTI

  • Oblea monocristalina de InP
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (111)A
  • Tamaño: 2" de diámetro x (0,3-0,35) mm
  • Dopado: Dopado con Zn
  • Tipo de conducción: S-C-P
  • Pulido: una cara pulida
  • Resistividad:(3,24-3,29)x10^-1 ohm.cm
  • Movilidad: 105-110 cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Concerntración portadora:(1,76-1,81) x10^17 /cm^3
  • Ra(Rugosidad media) : <4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI

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