MTI  |  SKU: IPScB50D035C1US

InP-(VGF- Grown) (111)B S dopado, 2 "x0.35mm wafer, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (111)B S dopado, 2 "x0.35mm wafer, 1sp

MTI

  • Oblea monocristalina de InP
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (111)B
  • Tamaño: 2" de diámetro x 0,35 mm
  • Dopado: Dopado S
  • Tipo de conducción: S-C-N
  • Pulido: una cara pulida
  • Resistividad: (1,26-1,40)x10^-3 ohm.cm
  • Movilidad: (1540-1650) cm^2/v.s
  • EPD: N/A
  • Concentración portadora: (2,71-3,24) x10^18 /cm^3
  • Rugosidad superficial: <4 nm
  • Superficie y empaquetadura preparadas para EPI
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