MTI | SKU:
ISGea1010045S2
InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por las dos caras
Precio normal
€251,85
Precio unitario
/
Agotado
No se ha podido cargar la disponibilidad de recogida
Entrega y envío a la UE
Entrega y envío a la UE
Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.
InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por las dos caras
MTI
Oblea de InSb de 10x10x0,45 mm (tipo P, dopada con Ge)
- Tamaño: 10x10x0,45 mm
- Orientación: <100> +/-0,5o con dos planos de referencia
- Pulido: pulido por las dos caras
- Embalaje: Sellado bajo nitrógeno con contenedor individual para obleas en sala blanca de clase 1000
Propiedades
-
Propiedades
- Método de crecimiento LEC
- Orientación (100) +/- 0,5 o
- Orientación Plana N/A
- Dopaje Ge
- Tipo de conductividad Tipo P
- Concentración de portadores 1,35x10^15/cc @77K
- Movilidad 6300 cm2/Vs
- EPD <=200 / cm 2
- Resistividad: 7,34E-1 ohm.cm
-
