MTI  |  SKU: ISGea1010045S2

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por las dos caras

Precio normal €251,85


Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por las dos caras

MTI

Oblea de InSb de 10x10x0,45 mm (tipo P, dopada con Ge)

  • Tamaño: 10x10x0,45 mm
  • Orientación: <100> +/-0,5o con dos planos de referencia
  • Pulido: pulido por las dos caras
  • Embalaje: Sellado bajo nitrógeno con contenedor individual para obleas en sala blanca de clase 1000

Propiedades

  • Propiedades

    • Método de crecimiento LEC
    • Orientación (100) +/- 0,5 o
    • Orientación Plana N/A
    • Dopaje Ge
    • Tipo de conductividad Tipo P
    • Concentración de portadores 1,35x10^15/cc @77K
    • Movilidad 6300 cm2/Vs
    • EPD <=200 / cm 2
    • Resistividad: 7,34E-1 ohm.cm