MTI  |  SKU: ISGea50D045C1US

InSb (100) 2" dia x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por 1 cara, conc. portador: (0,5-5,0)x10^17/cc - ISGea50D045C1US

€1.897,50

Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

InSb (100) 2" dia x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por 1 cara, conc. portador: (0,5-5,0)x10^17/cc - ISGea50D045C1US

MTI

Oblea de InSb de 2" (tipo P, dopada con Ge )

  • Tamaño: 2" de diámetro x 0,45 mm de grosor
  • Orientación: <100> +/-0.5 o
  • Pulido: una cara pulida
  • Embalaje: Sellado en nitrógeno en contenedor de oblea individual en sala blanca de clase 1000

Propiedades

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación(100) +/- 0,5 o
  • Orientación Plana N/A
  • Dopaje Ge
  • Tipo de conductividad Tipo P
  • Concentración de portadores (0,5-5,0) x10^17/cc @77K
  • Movilidad >(4,0-8,4)x10^3 cm2/Vs
  • EPD <200 / cm 2


Volver al principio