MTI  |  SKU: FmInGAonIPa76D065C1US5

InGaAs tipo N de red adaptada: no dopado, sobre InP(100) dopado con S 3 "x0,65 mm, 1sp - FmInGAonIPa76D065C1US5

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InGaAs tipo N de red adaptada: no dopado, sobre InP(100) dopado con S 3 "x0,65 mm, 1sp - FmInGAonIPa76D065C1US5

MTI

3" diá. Capas InP/InGaAs/InP sobre InP (100) por deposición MOCVD

Sustrato:

  • InP [100]±0,5° dopado con S tipo N, Nc=~5E18/cc
  • Tamaño de la oblea: 3" de diámetro
  • Espesor: 650+/- 25um
  • Una cara pulida, cara posterior grabada, US Flats

Capa EPI 1: película de InP de 1um de grosor, dopada con Si de tipo n, Nc=~5E15/cc
Capa EPI 2: película de In0,53Ga0,47As de 3,0±0,5µm de grosor , lattice matched, no dopada de tipo n, Nc=1E15-1E16/cc
Capa EPI 3(superior): Película de InP de 1um de espesor, dopada con Si de tipo n, Nc=1E15-1E16/cc

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