Plantilla de GaN semi-aislante sobre zafiro (0001),3 "x 0.5mm,1sp GaN Film:5um

La plantilla de GaN sobre zafiro se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

Especificaciones

• Plantilla epitaxial de GaN semiaislante sobre zafiro (plano C)
  
• Tamaños: 3" Redonda
• Sustrato Zafiro, Orientación eje c (0001) +/- 1.0 ^o
• Tipo de conducción: tipo n, no dopado
• Densidad típica de macrodefectos:< 5cm-2
• Resistividad:>10^6 Ohm-cm
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) As-grown
• Acabado de la superficie posterior Acabado de zafiro tal como se recibe
• Superficie útil >90
• Área de exclusión de bordes 1mm
  Densidad típica de macrodefectos: <5cm^-2
  
• Envase Envase de oblea individual
• Grosor de la capa de GaN 5 micras , (+/- 10%) con rugosidad: ~10 nm RMS medido por el Wyko (interferómetro de luz blanca) para un área de 50 umx50um

• Haga clic aquí para ver XRD Curva de balanceo de la plantilla de GaN
• Haga clic aquí para ver Dislocación vs Espesor de la plantilla de GaN
• Haga clic aquí para ver RMS de la plantilla de GaN

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