Plantilla de AlN no dopado sobre silicio de 2" (Si <111> tipo N) 2 "x 500 nm - FmAlNonSiPc50D05C1FT500nmUS

La plantilla de AlN sobre silicio se fabrica mediante un método de PVDNC. La plantilla de AlN sobre silicio es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de AlN.

Especificaciones

• Área útil: 90%
• Espesor nominal de AlN: 500 nm ±10%, una cara recubierta, película de AlN sin dopar
• Superficie frontal: <1nm RMS, tal cual
• Superficie posterior: silicio tipo N
• Orientación del AlN: Plano C (00.1)
• Densidad de macrodefectos: <1/cm^2
• Base de la oblea: Silicio [111] tipo N, 2" dia x0.5 mm, , una cara pulida

• Para la limpieza estándar de la plantilla de AlN, haga clic aquí.
• Paraver los datos técnicos de la plantilla de AlN, haga clic aquí.
• Para ver la hoja de propiedades físicas de la plantilla de AlN, haga clic aquí.

Datos relacionados

• FDS AlN

Productos relacionados

Películas finas A-Z	Oblea de cristal A-Z	Limpiador de plasma	Contenedores para obleas	Fresadora	Recubridora