MTI  |  SKU: GASia50D05C1US5

VGF-GaAs (100) tipo N Si dopado 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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VGF-GaAs (100) tipo N Si dopado 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Tamaño: 2" dia x 0.5mm
  • Pulido: Una cara pulida
  • Dopado: Si dopado
  • Tipo de conductor: Tipo N
  • Concentración de portadores: (0,63 - 1,33) x 10^18 /cm^3
  • Movilidad: (2170 - 2920) cm^2/V.S
  • Resistividad: (2,12 - 3,55) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 5000cm^2
  • Ra(Rugosidad media): < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI

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