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MTI | SKU:
GASia050505S1US
Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 5 x 5 x 0,5mm, 1sp
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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 5 x 5 x 0,5mm, 1sp
MTI
Oblea monocristalina de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 5x5x0,5mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Si dopado
Tipo de conductor: S-C-N
Concentración de portadores: (7,2-11,7) x 10^17 /cm^3
Movilidad: 2170-2650 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
resistividad: (2,56-3,55)x10^-3 ohm.cmMétodo de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 5x5x0,5mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Si dopado
Tipo de conductor: S-C-N
Concentración de portadores: (7,2-11,7) x 10^17 /cm^3
Movilidad: 2170-2650 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
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