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GAZna101006S1US
Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp
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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp
MTI
Oblea monocristalina de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 10x10x0.625mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: Tipo P
Concentración de portadores: (1,3-2,2) x 10^19 /cm^3
Movilidad: 64-75 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
Resistividad: (4,5-6,7)x10^-3 ohm.cmMétodo de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 10x10x0.625mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: Tipo P
Concentración de portadores: (1,3-2,2) x 10^19 /cm^3
Movilidad: 64-75 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
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