VGF-Ge Wafer (100) 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, N type ( As- doped), R: 0.088- 0.183ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 500 micras
• Pulido superficial: Pulido epi por una cara
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Tipo de conductor: Tipo N
  
• Resistividad: 0.088-0.183 ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: (0,78-3,02)x10^16/c.c
• Movilidad: 2350-3010 cm^2.v.s
• EPD: < 500 /cm^2
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
• Embalaje: sala blanca de clase 1000
  

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640