VGF-Ge Wafer (100) 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( As- dopado), R: 0.173-0.25 ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 500 micras
• Pulido de superficie: Pulido epi en dos caras
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Dopado As
• Tipo de conductor: Tipo N
  
• Resistividad: 0.173-0.25 ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración de portador: 0,09x10^17 -1,63x10^17/c.c
• Movilidad: 1660-2940 cm^2.v.s
• EPD: < 500 /cm^2
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
• Embalaje: sala blanca de clase 1000
  

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640