VGF-Ge Wafer (100) con 6 grados de desviación hacia <111>, 100 mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P (Ga dopado), R: 0.3-0.33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: Oblea VGF-Ge (100) con desviación de 6 grados hacia<111>
• Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 500 micras
• Pulido superficial: Una cara pulida
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,3-0,33 ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: (1,01-1,03) x10^16 /c.c
• Movilidad: 1900-2060 cm^2/Vs
• EPD: < 500 /cm^2
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
• Embalaje: sala blanca de clase inferior a 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Térmica Conductividad: 640