VGF-Ge Wafer(100) 100 mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P (Ga dopado) R:0.128-0.303 Ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.4 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 500 micras
• Pulido superficial: Una cara pulida
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,128-0,327 Ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: (0,98-10,0) x10^16 /c.c
• Movilidad: 897-2070 cm^2/Vs
• EPD: <500 /cm^2
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
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  Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640