Oblea VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P ( Ga dopado)

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100(+/-0.4) mm dia x 175(+/-25) micras
  
• Pulido superficial: Una cara pulida
• Rugosidad superficial: < 8 A
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: (0.182-0.327) Ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: (0,92-4,13) E16 /c.c
• Movilidad: (1520-2090) cm^2/v.s
• EPD: <=500 /cm^2
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640