Oblea VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P ( dopado con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100(+/_0.4) mm dia x 175(+/_25) micrones
  
• Pulido superficial: Ambas caras pulidas
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado Ga
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,51-0,182 ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: (0,188-1,13) x10^17
  
• Movilidad: 1100-1830 cm^2/v.s.
  
• EPD: <=500 /cm^2
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640