VGF-Ge Wafer(100) 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) R:0.128-0.303 Ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.4 Deg.
• Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 500 micras
• Pulido de la superficie: Dos lados pulidos
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0.128-0.303Ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: (1,07-2,89) x10^16 /c.c
• Movilidad: 1690-2070 cm^2/Vs
• EPD: <500 /cm
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640