Oblea VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado) R:0,008-0,021 Ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de crecimiento: VGF
• Orientación: (100) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 50(+/_0.3) mm dia x 175(+/_15) micrones
  
• Pulido superficial: Ambas caras pulidas
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Dopado Ga
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0.008-0.021Ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Concentración del portador: N/A
• Movilidad: N/A
• EPD: <=500 /cm^2
• Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
• Embalaje: sala blanca de clase inferior a 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5.6754Å
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640