In Crystal Substrate

MTI

InSb (100) 10x10x 0,3 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su due lati

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato Ge, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucido

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su un lato, concentrazione di portatori: (0,5-5,0)x10^17/cc - ISGea50D045C1US

MTI

InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 2 lati lucidati

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucidato - ISUa50D05C1US

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, tipo N Non drogato, 2 lati lucidati

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato lucidato - ISTea50D045C1US

MTI

InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, drogato con Te, tipo N, lucidato su 2 lati

MTI

InSb (100) 5x5x 0,45 mm, tipo P, drogato Ge, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 5x5x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su due lati

MTI

InSb (100) 5 x 5 x 0,3 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucido

MTI

InSb (100) 5 x 5 x 0,45 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucido

MTI

InSb (111)A 49 mm di diametro x 0,5 mm, non drogato, tipo N, un lato lucidato

MTI

InSb (111)-A diametro 2" x 0,5 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 5x5x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 2 lati lucidati

MTI

InSb (100) 5x5x0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucido

MTI

InSb (111)B diametro 2" x 0,5 mm, non drogato, tipo N, lucidato su un lato - ISUcB50D05C1US