In Crystal Substrate

MTI

InSb (111)- B diametro 2" x 0,45 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato (Sb) lucidato

MTI

InP - (cresciuto in VGF), (111)A, drogato con S, wafer da 2" x 0,5 mm, 1sp - IPScA50D05C1US

MTI

InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) drogato con Sn, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) drogato S, wafer da 2 "x0,5 mm, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)A drogato Zn-, tipo P, wafer da 2 "x 0,35 mm, 1sp - IPZncA50D035C1US

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

MTI

InP-VGF cresciuto (111)B non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF- (100) drogato S, wafer 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

MTI

InP-VGF cresciuto (111)B drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

MTI

VGF -InP (100) non drogato 5x5x0,35mm, 1sp

MTI

VGF InP (100) drogato con Fe, wafer da 2" x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

MTI

VGF InP (110) drogato con Fe, wafer da 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer 10x10x 0,35 mm, 1sp