Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, drogato As, R:0,005-0,05 ohm.cm - SIAsc50D05C2R0005

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Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm-cm - SIBc50D05C1R1

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Wafer Si (111) diametro 2" x 0,28 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:0,1-10 ohm-cm - SIBc50D028C1R01

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Wafer Si (111) diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm-cm - SIBc50D0279C1R1

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Wafer Si (111) Ø 2" x 0,1 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm.cm - SIBc50D01C1R1US

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Wafer Si (110), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm)

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Wafer Si (110), diametro 3 "x 0,5 mm, 1sp, tipo N, drogato P, resistività: 1-10 ohm-cm - SIPe76D05C1R1

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Wafer Si (110), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (110), diametro 2" x 0,5 mm t, 2SP, tipo P/ drogato B, R:0,1-1,0ohm-cm

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Wafer Si (110) 3 " dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm

MTI

Wafer Si (110) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P, drogato B, R:0,01-1,0 ohm-cm - SIBe50D05C2R001

MTI

Wafer Si (110) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:1-10 ohm-cm

MTI

Wafer Si (110) Ø 2" x 0,5 mm t, 2SP, tipo P, drogato B, R:8-12 ohm-cm

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Wafer Si (110) Ø 2" x 0,5 mm t, 1SP, FZ, non drogato, resistività: >1.000 ohm-cm - SiUe50D05C1R1000

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Wafer Si (100), tipo N, drogato P, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, R:1-10 ohm.cm

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Wafer Si (100), tipo N, drogato P, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, R:1-10 ohm.cm

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Wafer di Si (100), tipo N, drogato P, diametro 2" x 0,3-0,35 mm, 1SP, R:1-10 ohm.cm-1

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Wafer Si (100), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-30ohm-cm - SIBa152D0675C1R1US

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Wafer Si (100), diametro 5" x 0,625 mm, 1SP tipo N, drogato P, R: 1-10 ohm-cm,

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Wafer Si (100), diametro 4 "x 0,525 mm, 1SP, tipo N, drogato P, resistività: 1-10 ohm-cm - SiPa101D05C1R1US