Substrato di cristallo A-Z

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Wafer Si (100), 3 "dia x0,381 mm, 1sp, tipo N, drogato P, R:5-10 ohm.cm - SIPa76D0381C1R5

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Wafer di Si (100), diametro 3 "x0,38 mm, 1sp, tipo N, drogato con As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer Si (100), diametro 3 "x0,35-0,4 mm, 1sp, tipo N, drogato As, R:0,001-0,008 ohm.cm - SIAsa76D035C1R0001

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Wafer di Si (100), diametro 3 "x0,35 mm, 2sp, tipo N, drogato con As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di Si (100), 3 "dia x 0,38 mm, 1sp, tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (100), 3" dia x 0,35 mm, 1sp, tipo P, drogato B, resistività: 0,001-0,005ohm-cm

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Wafer di Si (100), 3 "dia x 0,1 mm, 1sp, tipo P, drogato B, resistività: 30-100 ohm-cm

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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:1-10 ohm.cm

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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As R<=0,005 ohm.cm - SIAsa50D05C1R0005

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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo N, drogato As R<=0,005 ohm.cm

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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,275 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R: 0,2-0,4 ohm-cm - SIBa50D0275C1R02

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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,1 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:5-20 ohm.cm - SIBa50D01C1

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Wafer Si (100), diametro 1" x 0,5 mm, 1sp, tipo P, drogato B, R:0,1-1,0 ohm-cm - SiBa25D05C1R01

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Wafer Si (100) tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, FZ, non drogato, R>1000 ohm-cm - SiUa50D05C2R1000

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Wafer Si (100) diametro 4 "x 0,525 mm 1SP, tipo N drogato P Resistività: 0,1-1 ohm-cm

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Wafer Si (100) 4 gradi off verso (110), 3 "dia x 0,5 mm, 1 sp, tipo N, drogato P, R:10-30 ohm.cm - SIPa76D05C1deg4R10

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Wafer Si (100) 3" dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm - SIBa76D05C1R1

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Wafer Si (100) Ø 2" x 1,0 mm, 2SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm

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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P, drogato B R:0,1-1,0 ohm.cm - SiBa50D05C2R01

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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, R:0,1-1,0 ohm.cm