Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:0,001-0,005 ohm.cm

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm - SIUa50D05C1R10000

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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, resistività: > 5000 ohm-cm

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Wafer Si (100) 2" dia x 0,5 mm t, 1SP, FZ Non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SIUa50D05C1R1000

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Wafer Si (100) diametro 3 "x 0,5 mm, tipo P 2sp, drogato B, resistività: 0,005-0,028 ohm-cm

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Substrato a cristallo singolo di Si, non drogato (100), 2" diax 1,0 mm 1sp, R>10000 ohm.cm - SiUa50D10C1R10000

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wafer Si (510)= Si (100) con errore di taglio di 11,3 gradi verso <100>/<110> , 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm) - SiUa510ori101D05C1

MTI

Si (111) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo P non drogato, R>1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5 mm, 1SP, tipo P drogato B, R:1-10 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUc101005S1R1000

MTI

Si (111) 10 mm di diametro x 0,35 mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 1" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (110) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUe101005S1R1000

MTI

Si (100) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo P drogato B, R: 1-10 ohm-cm

MTI

Si (100) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, drogato P tipo B, R: 1-32 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUa101005S2R1000

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, drogato N tipo P, R: 5-10,3 ohm-cm