Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato con resistività: >10.000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato con resistività: >15.000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: > 10.000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: 8000-9000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: > 15.000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: >5000 ohm-cm

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Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: >1.000 ohm-cm - SiUa101D05C1R1000

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività>200 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,01-0,1ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,1 - 1,0 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N, drogato Sb, R:0,01-0,02 ohm.cm - SISba101D05C1R001

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm

MTI

Wafer di Si (100), diametro 4" x 0,275 mm, drogato P tipo B, 1SP, resistività: 0,5 - 2,0 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,2 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm

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Wafer Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 2sp, tipo N, non drogato, R>1000 ohm-cm - SIUa76D05C2R1000

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Wafer Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 1sp, tipo N, drogato P, R:1-10 ohm.cm - SIPa76D05C1R1

MTI

Wafer di Si (100), diametro 3 "x0,5 mm, 1sp, tipo N non drogato R:>1000 ohm.cm