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Gruppo al quarzo per fusione a induzione con sette passanti da 1/4" per tubo da 100 mm di diametro esterno - FL101FT7-OK

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Sistema di fusione a induzione in Glove-box con O2 e H2O < 1 ppm - IMCS-GB1700

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Sistema di fusione a induzione in camera stagna con depurazione dei gas (1PPM) - SP-MGB

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Motore a induzione per MSK2150 Sostituzione, MTI-MSK2150-MOTOR

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Motore a induzione per sostituzione MTI, VTC-DCMOTOR

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Forno tubolare verticale con tempra a gas inerte 1700C Max. - GSL-1700X-VGQ-60

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Regolatore per gas inerte, regolatore a due stadi in ottone per bombole analitiche da 0 a 100 psi - CGA-580-LD

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Filtro in linea per cappa aspirante, 6 pollici x 16 pollici 400 CFM - EQ-FH-3660

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Scaricatore di ritorno di fiamma in linea per i forni a gas idrogeno MTI, MTI-Flashback

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Testa girevole in linea (fino a 3000 PSI) 1/4 "FPT x 1/4" MPT, 30 Max. RPM - IS-1430

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Volantini a corrugazione interna per YLJ24-60, MTI-YLJ24-WHEEL

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InP - (cresciuto in VGF), (111)A, drogato con S, wafer da 2" x 0,5 mm, 1sp - IPScA50D05C1US

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InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (100) drogato S, wafer da 2 "x0,5 mm, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (100) drogato con Sn, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (111)A drogato Zn-, tipo P, wafer da 2 "x 0,35 mm, 1sp - IPZncA50D035C1US

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InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

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InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

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InP-VGF cresciuto (111)A non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp