MTI  |  SKU: IPZna76D06C1US

InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

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InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

MTI

Wafer a cristallo singolo di InP
Orientamento: (100)+/- 0,5 gradi
Piatto primario: US(01-1)+/-0,5 gradi
Piano secondario: US(011)
Dimensioni: 3" di diametro x 0,625 mm
Metodo di coltivazione: VGF
Doping: Drogato con Zn
Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: un lato lucidato
Resistività: (4,19-4,73)E-2 ohm.cm
Mobilità: 72-74 cmE2/V.S
EPD: <5000 /cmE2Vettore
Concernenza: (1,79-2,07)E18 /cmE-3
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

Superficie e imballaggio pronti per l'EPI


 

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