InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

Wafer
monocristallino di InP Orientamento: (100) ± 0,5 gradi
Piano primario: US(01-1) ± 0,5 gradi
Piano secondario: US(011)
Dimensioni: 3" di diametro x 0,625 mm

Metodo di crescita: VGF
Doping: Dopato
con Zn Tipo di conducibilità: S-C
Lucidatura: lucidato su un lato

Resistività: (4,19-4,73)E-2 ohm·cm

Mobilità: 72–74 cmE²/V·s
EPD:                                <5000 /cm²
Concentrazione dei portatori: (1,79-2,07)E¹⁸ /cm³
Ra (rugosità media): < 0,4 nm