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MTI | SKU:
GASia101005S1US
Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp
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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp
MTI
Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 10x10x0,5 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Si drogato
Tipo di conduttore: S-C-N
Concentrazione del vettore: (7,2-11,7) x 10^17 /cm^3
Mobilità: 2170-2650 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
resistività: (2,56-3,55)x10^-3 ohm.cmMetodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 10x10x0,5 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Si drogato
Tipo di conduttore: S-C-N
Concentrazione del vettore: (7,2-11,7) x 10^17 /cm^3
Mobilità: 2170-2650 cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
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