Wafer Si (100), 3" dia x 0,35 mm, 1sp, tipo P, drogato B, resistività: 0,001-0,005ohm-cm

• Cristallo singolo Si  
• Conduttività: Tipo P (drogato B)
• Resistività: 0,001-0,005 ohm-cm  (Se si desidera misurare la resistività con precisione, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
• Dimensioni: 3" di diametro
• Spessore: 0,35 +/- 0,025 mm
• Orientamento: (100) 
• Lucidatura: Un lato lucidato
• Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).