Productos

MTI

Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R>40 Ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:0,0007-0,005ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:1-5 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 10x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:1-5 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 10x5 x 0,5 mm , 2SP, tipo N dopado con Sb,R:0,01-0,05 Ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:0,1-0,5 Ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:10-15 Ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R>40 Ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:0,0007-0,005 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:1-5 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x10 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x3 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

MTI

Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x5 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

MTI

Ge Wafe, tipo N Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm, 1SP (100) R: >50 Ohm.cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 0,7 grados 2" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), R:>40 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 1 grado, 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 2,5 Grados Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, Resistividades: >50 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/-0,7 Grados 2" dia x 0,45 mm, 1SP, tipo N ( Sb dopado), R:>40 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.45 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,001-0,01 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividad:2.5-2.7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS