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Ge Single Crystal wafer, N-type undoped (111) 4 "x0.5 mm,2sp, R:40 ohm.cm

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Sustrato Ge (100) 5x 5x0,4 mm, 1 SP, No dopado ,Tipo N.R>50 ohm.cm

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Sustrato Ge (100) 5x 5x0,5 mm, 1 SP, No dopado ,Tipo N.R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (100)+/-2,5 grados 5x 5x0,5 mm, 1 SP, Sin dopar, tipo N, R: >50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,4-0,5 mm, 2 SP, tipo N sin dopar, R>50 ohm.cm - GEUe101005S2R50

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Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, tipo N Sin dopar, R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, dopado con Sb ,R:1-5 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110) 10x5x 0,5 mm, 1 SP, tipo N Sin dopar .R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110) 10x5x 0,5 mm, 2 SP, tipo N Sin dopar ,R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110) 5x5x 0,45-0,5 mm, 2 SP, tipo N No dopado R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110) 5x5x 0,5 mm, 1 SP, tipo N ,No dopado R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110)+/- 0,7 grados 10x10x 0,5 mm, 1 SP, dopado con Sb ,R:0,1-0,5 ohm.cm

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Sustrato de Ge (110)+/- 0,7 grados 5x5x0,5 mm, 1 SP,dopado con Sb ,R:0,1-0,5 ohm.cm

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Sustrato Ge (111) 10x10x 0,4-0,5 mm, 2 SP, No dopado ,R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, tipo N Sin dopar .R>50 ohm.cm

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Sustrato de Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 2 SP, dopado con Sb, 0,005-0,01 Ohm.cm - GESbc101005S2R0005

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Sustrato de Ge (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 1 SP, tipo P ,dopado con Ga ,R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Sustrato de Ge (111) 5x5x0,5 mm, 2 SP, dopado con Sb . 0,005-0,01 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:0,1-0,5 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:10-15Ohm.cm