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GaN -Sustrato de cristal único, tipo N, (0001), 10x10,5x0,35 mm , 1SP

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Sustrato monocristalino de GaN, tipo N, (10-10), 5 x10 x 0,3 mm , 1SP

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Plantilla GaN ( 200nm) sobre oblea de silicio, GaN (tipo N, no dopado), Si(111) tipo N dopado con P,10x10x0.279mm,1sp R:1-10 ohm.cm

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Plantilla de GaN sobre oblea de silicio de 2", película de GaN(500nm), tipo N, sin dopar sobre sustratos de Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp

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Plantilla GaN sobre Zafiro (0001), tipo N sin dopar, 2" Dia. x 0.43 - 0.5mm, 1sp, Pelicula GaN:4 - 5 micron

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Plantilla de GaN sobre zafiro (0001), tipo N, sin dopar, 2 "x 0,5mm,1sp Película de GaN:30um, (Grado de Producción) - FmGaNonALC50D05C1FT30um

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Plantilla de GaN sobre Zafiro(0001) 2 "x 0.5mm,1sp ,Película de GaN: 20um ,Semi-aislada--Grado de Investigación

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Plantilla GaN sobre Zafiro(0001) 5 x 5 mm x 0,5mm,1sp .Lámina GaN: 5um

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Plantilla GaN sobre Zafiro(0001) 5 x 5 mm x 0,5mm,1sp .Lámina GaN:4- 5um

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Plantilla GaN sobre Zafiro(11-02) , 5 x 5 mm x 0,5mm ,1sp, Lámina GaN: 5um - FmGaNonALR050505S1FT5um

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Plantilla GaN sobre Zafiro, Plano C,10x10 x0,5 mm , Film: 30 micras de espesor

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Cristal de GaP para evaporación, pureza >99,995%, 5x5x5 mm tal cual tallado - GaP050550SN

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Oblea GaP no dopada (111) 2" diaX 0,45mm 2sp,R> 7 x10^7 ohm.cm,Semi-Aislante

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Oblea GaP, tipo N, dopada con S, (100), 2 grados hacia [101] +/- 0,5 grados, 48 mm de diámetro x 0,25 mm, 1sp

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Oblea GaP, dopada con S (111) 2 "x0,5 mm, 2sp - GPSc50D05C2

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Oblea GaP, dopada con S, (100), 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

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Oblea GaP, dopada con S, orientación (111), 2" diá. x 0,45mm, 1sp

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Oblea GaP, dopada con S, orientación (111), 2" diá. x 0,5mm, 1sp - GPSc50D05C1

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Oblea GaP, no dopada (100) 10x10x0,5 mm, 1sp

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Oblea GaP, no dopada (100) 10x10x0,5 mm, 2sp - GPUa101005S2