Film sottili dalla A alla Z

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Templato di AlN non drogato su silicio da 2" ( Si <111> , tipo N ) 2 "x 200 nm - FmAlNonSiPc50D05C1FT200nmUS

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TiO2 (150nm) rivestito in vetro Sodalime 1" x1" x 0,7 mm

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Termocoppia: Tipo S (da Pt-Rh a Pt) Lunghezza 9,5" con guaina in ceramica - EQ-TC-S-KSL-14

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Termocoppia: Tipo S (da Pt-Rh a Pt) Lunghezza 8" con guaina in ceramica - EQ-TC-S-KSL-15

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Termocoppia: Tipo S (da Pt-Rh a Pt) Lunghezza 5" con guaina in ceramica - EQ-TC-S-GSL-13

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>10000 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 500 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo N, drogato P 1sp, 0,01-0,1 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: 50 nm SiO2 su Si (100), 5x5 x 0,5 mm, tipo N, drogato P 1SP, R:0,01-0,05 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 50 nm su Si (100), diametro 2" x 0,30 mm t, tipo N, non drogato, R>1000 ohm-cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, tipo N, drogato con Sb 1SP R: 0,01-0,02 ohm-cm - Fm300SOonSISba101D0525C1R001

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (111), diametro 4" x 0,525 mm t, tipo N, drogato con Sb 1SP R: 0,01-0,02 ohm.cm - Fm300SOonSISbc101D0525C1R001

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (111), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo N, drogato P 1SP R:5-15 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,525 mm t, tipo N, drogato As 1SP, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa100D0525C1US

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo N, drogato P, 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo P, 2SP, R:1-10 ohm-cm - Fm300SOonSIBa100D0525C2R1US

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo P, 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo N, 1SP drogato di As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>1000 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa50D05C