Film sottili dalla A alla Z

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC(0001) con 4 gradi di disattivazione tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. carrier (0,3-1,9) E16/cc, 2sp, spessore film: 11 um

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC (0001) con 8 gradi di disattivazione, tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. portante 1,4 E17/cc, 2sp, spessore 4,3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

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Pellicola epi-film di Ge di tipo N da 4" su wafer di silicio di tipo N, spessore 0,5 um - FmGeNtypeonSiNtypea101D05C1US

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Diametro 2". Film di InGaAs su InP (SI) (100) Depositato mediante MOCVD, diametro 2" x0,35 mm, 2sp, film:500 nm

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Diametro 2". Film di InGaAs EPI su InP (SI) (100) depositato tramite MOCVD (InP:Fe) Diametro 2" x0,35mm, 2sp, Film:750 nm