Film sottili dalla A alla Z

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Substrato di vetro FTO (TEC 7) con modello 1" x 1" x 1,1 mm, R: 7-10 ohm/sq 25pz /pacchetto

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Substrato di vetro FTO (TEC 7) 20 mm x 20 mm x 3,0 mm, R: 6-8 ohm/sq 25 pz /pacco

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Substrato di vetro FTO (TEC 7) 100 x 100 x 1,1 mm, R: 7-10 ohm/sq 5 pz /pacco

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Substrato di vetro FTO (TEC 7) 1,0" x 3" x 3,0 mm, 6-8 ohm/sq, 25 pezzi /pacchetto - FTO257630TEC7gp25

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Substrato di vetro FTO (TEC 7) 1" x 1" x 3,0 mm, R: 6-8 ohm/sq 25pz /pacchetto

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Substrato di vetro FTO (TEC 7) 1" x 1" x 1,1 mm, R: 7-10 ohm/sq 25pz /pacchetto

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Substrato di vetro FTO (TEC 15) 100 x 100 x 3,0 mm, R: 12-14 ohm/sq 25 pz /pacco

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Substrato di vetro FTO (TEC 15) 1" x 1" x 2,2 mm, R:12-14 ohm/sq 25pz /pacchetto

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Diamante su wafer di silicio (DOS), 5x5 mm, spessore 2 um, Ra 10 nm

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Diamante su wafer di ossido (DOI), 5 mm x 5 mm, spessore 2um, 10nm Ra

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Film diamantato conduttivo elettrico su isolante (DCI), 5x5 mm, spessore 2 um,

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Film di Cu su wafer di Ta/SiO2/Silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped5x5x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ, <111>10x10x0,5 mm, 1sp - FmCeO2onYSZc101005S1FT40nm

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Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ <110> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZe101005S1FT40nm