Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga)

MTI

Wafer VGF-Ge (100) con errore di taglio di 6 gradi verso <111> , diametro 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), R: 0,3-0,33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US

MTI

Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con As), R: 0,173-0,25 ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con As), R: 0,088-0,183ohm.cm

MTI

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

MTI

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

MTI

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

MTI

VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

MTI

VGF InP (110) drogato con Fe, wafer da 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer 10x10x 0,35 mm, 1sp

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

MTI

VGF InP (100) drogato con Fe, wafer da 2" x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

MTI

VGF -InP (100) non drogato 5x5x0,35mm, 1sp

MTI

Substrato SrTiO3 con superficie a gradini e Ti terminato (100) 10x10x0,5mm, 1 SP - STOa101005S1StepUS

MTI

SrTiO3 Substrato a cristallo singolo, (100)ori. 10x3x0,5mm, 1sp

MTI

Orientamento SrTiO3(111) +/-0,1 gradi, con bordo <110> da materiali provenienti dalla Cina, 10x3x0,5 mm 1sp - STOc100305S1deg01